IGBT原理和用途
IGBT 的開關(guān)作用是通過加正向柵極電壓形成溝道，給 PNP 晶體管提供基極電流，使 IGBT導(dǎo)通。反之，加反向門極電壓消除溝道，流過反向基極電流，使 IGBT 關(guān)斷。 IGBT 的驅(qū)動方法和 MOSFET基本相同，只需控制輸入極 N 一溝道 MOSFET ，所以具有高輸入阻抗特性。
 
   當 MOSFET 的溝道形成后，從 P+ 基極注入到 N 一層的空穴（少子），對 N 一層進行電導(dǎo)調(diào)制，減小N 一層的電阻，使 IGBT 在高電壓 時，也具有低的通態(tài)電壓。
 
   IGBT 的工作特性包括靜態(tài)和動態(tài)兩類：
 
   1 ．靜態(tài)特性 IGBT 的靜態(tài)特性主要有伏安特性、轉(zhuǎn)移特性和 開關(guān)特性。
 
   IGBT 的伏安特性是指以柵源電壓 Ugs 為參變量時，漏極電流與柵極電壓之間的關(guān)系曲線。輸出漏極電流比受柵源電壓 Ugs 的控 制， Ugs 越高， Id 越大。它與 GTR的輸出特性相似．也可分為飽和 區(qū) 1 、放大區(qū) 2 和擊穿特性 3 部分。在截止狀態(tài)下的 IGBT ，正向電 壓由 J2結(jié)承擔(dān)，反向電壓由 J1 結(jié)承擔(dān)。如果無 N+ 緩沖區(qū)，則正反 向阻斷電壓可以做到同樣水平，加入 N+ 緩沖區(qū)后，反向關(guān)斷電壓只能達到幾十伏水平，因此限制了 IGBT 的某些應(yīng)用范圍。
 
   IGBT 的轉(zhuǎn)移特性是指輸出漏極電流 Id 與柵源電壓 Ugs 之間的 關(guān)系曲線。它與 MOSFET的轉(zhuǎn)移特性相同，當柵源電壓小于開啟電 壓 Ugs(th) 時， IGBT 處于關(guān)斷狀態(tài)。在 IGBT 導(dǎo)通后的大部分漏極電 流范圍內(nèi)，Id 與 Ugs 呈線性關(guān)系。*高柵源電壓受*大漏極電流限 制，其*佳值一般取為 15V 左右。
 
   IGBT 的開關(guān)特性是指漏極電流與漏源電壓之間的關(guān)系。 IGBT 處于導(dǎo)通態(tài)時，由于它的 PNP晶體管為寬基區(qū)晶體管，所以其 B 值 極低。盡管等效電路為達林頓結(jié)構(gòu)，但流過 MOSFET 的電流成為 IGBT總電流的主要部分。此時，通態(tài)電壓 Uds(on) 可用下式表示
 
   Uds(on) ＝ Uj1 ＋ Udr ＋ IdRoh 
 
   式中 Uj1 —— JI 結(jié)的正向電壓，其值為 0.7 ～ IV ；
 
   Udr ——擴展電阻 Rdr 上的壓降；
 
   Roh ——溝道電阻。
 
   通態(tài)電流 Ids 可用下式表示：
 
   Ids=(1+Bpnp)Imos
 
   式中 Imos ——流過 MOSFET 的電流。
 
   由于 N+ 區(qū)存在電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng)，所以 IGBT 的通態(tài)壓降小，耐壓 1000V 的 IGBT 通態(tài)壓降為 2～ 3V 。
 
   IGBT 處于斷態(tài)時，只有很小的泄漏電流存在。
 
   2 ．動態(tài)特性 IGBT 在開通過程中，大部分時間是作為 MOSFET 來運行的，只是在漏源電壓 Uds下降過程后期， PNP 晶體 管由放大區(qū)至飽和，又增加了一段延遲時間。 td(on) 為開通延遲時間， tri為電流上升時間。實際應(yīng)用中常給出的漏極電流開通時間 ton 即為 td (on) tri 之和。漏源電壓的下降時間由 tfe1 和tfe2 組成，
  IGBT 在關(guān)斷過程中，漏極電流的波形變?yōu)閮啥?。因?MOSFET 關(guān)斷后， PNP晶體管的存儲電荷難以迅速消除，造成漏極電流較長的尾部時間， td(off) 為關(guān)斷延遲時間， trv 為電壓 Uds(f)的上升時間。實際應(yīng)用中常常給出的漏極電流的下降時間 Tf 由 t(f1) 和 t(f2) 兩段組成，而漏極電流的關(guān)斷時間
   t(off)=td(off)+trv 十 t(f) 
式中， td(off) 與 trv 之和又稱為存儲時間。
IGBT是一種新型的電力電子原件，主要用于電源領(lǐng)域。如變頻器，電焊機，軟開關(guān)電源等。通過模擬或數(shù)字電路控制通斷來提供不同的電壓和電流。
它比晶閘管開關(guān)頻率更高。對電網(wǎng)影響小。是結(jié)合MOSFET和GTO發(fā)展而來的新型電力器件。
缺點：不能做大電壓，因此后來發(fā)展了耐壓的IGBT。